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海特高新(002023)
5G对功率器件的需求分析5G时代的到来会带来新的商业模式,将需要满足三大场景中用户的需求,包括增强移动宽带(eMBB)、大规模机器类通信(mMTC)、高可靠低延时通信(uRLLC)。比如VR/AR、物联网、车联网应用等。这些应用会带来对高速宽带低功耗的需求,5G对系统及器件带来了高速、宽带、低功耗、高频及低时延技术及要求,三大热点将开启万物互联时代,射频芯片、基带芯片及其它MEMS等相关需求旺盛,但国外占据一定优势,这对我国芯片行业而言,既是机遇、也是挑战。5G时代对器件提出了技术要求,比如最低工作频率从 3.4GHz 到 100GHz;瞬时带宽从 20MHz 到 1GHz;相控阵体制,功率放大器的平均输出功率将从几 W到几十W;更高的效率,减少能耗提高效率;更低的成本,降低总体物料成本。等。今年6月份,工信部进一步明确了我国5G频段技术试验频段,其中,6G频段以下为3.3-3.6G、4.8-5.0G;6G频段以上:24.75-27.5G、37-42.5G。芯片的发展路标更加清晰。在2G、3G、4G时代,我国在移动通信领域的有源射频芯片(器件)基本被国外所垄断,随着国内第三代半导体技术产业的快速发展,我们必然会在5G时代占有重要的一席之地。国内在5G领域具备技术能力与基础国内在第二代半导体砷化镓方面,已经建成含材料外延的完整4-6英寸研制、生产平台,与国际同步; 形成了标准的GaA
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