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(中国中冶)"钪锑碲"新型材料的存储器,操作功耗较原通用材料("锗锑碲")降低了 中冶最大钪

2018年9月5日  12:56:07   来源:网友   编辑:168炒股学习网    阅读:1174人次

网友提问:

中国中冶(601618)

"钪锑碲"新型材料的存储器,操作功耗较原通用材料("锗锑碲")降低了中冶最大钪."钪锑碲"新型材料的存储器,操作功耗较原通用材料("锗锑碲")降低了90%,且十年的数据保持力相当;通过进一步优化材料与微缩器件尺寸,其将给国产存储器综合性能带来大步提升。此外,随着近年各类电子设备的普及,使存储芯片的需求大增,也对其性能要求也不断提高,为此,各国专家都在努力研发存储芯片的制造材料。而此次"钪锑碲"的成功研发,不单只是提升性能,对我国存储芯片信息安全的维护也起到重要的作用,因此,打破国际技术壁垒,拥有自主产权的"钪锑碲"其价值和意义都是非常重大的。

网友回复

炎黄两帝:

发表于 2018-09-0421:19:04科研进展
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
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文章来源:上海微系统与信息技术研究所 发布时间:2017-11-10 【字号: 小 中 大 】
  集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一,是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地,存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断,对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存储技术迫在眉睫。

  中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合中芯国际集成电路制造有限公司,选择以嵌入式相变存储器(P...
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