网友提问：
南大光电(300346)南大光电惊天题材：第三代半导体技术，5G龙头--氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是一种氮（V）和镓（III）的III-V族化合物，直接带隙（Direct Bandgap）（直接跃迁型）的半导体材料，具有带隙宽（室温下，Eg=3.39eV）、原子键强、导热率高、化学性能稳定（几乎不被任何酸腐蚀）、抗辐照能力强、结构类似纤锌矿、硬度很高等特点。GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。氮化镓相比传统硅基半导体，有着比硅基半导体出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。这首先体现了低损耗和高开关频率，低损耗可降低导阻带来的发热，高开关频率可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升频率，降低驱动损耗。不过制造工艺上氮
网友回复
力量213：
离离拉拉这么长一篇文章！公司董秘就一句话，公司没有氮化镓业务！
举剑封喉：
图片评论
我们肯定不一样：
国产5G通信基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片对外公开亮相
2018-12-12 09:33阅读：133
在10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上，国产5G通信基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片，在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。该研究院有关负责人透露，GaN芯片已完成多款产品设计，并已获得中电集团客户认证成功，计划2019年正式推出，将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求。
乾照光电、海特高新、南大光电等。
股友yTKiZy：
你敢保证将来不会有？