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调研与思考——基于第三代半导体硅基氮化镓功放器件与激光射频器件的“有源相阵控雷达
调研与思考——基于第三代半导体硅基氮化镓功放器件与激光射频器件的“有源相阵控雷达”——性能提升了多少？
晚
有源相控阵雷达是区别于无源相控阵雷达，具有波束多、指向性强、追踪目标多、覆盖死角小等优点，从使用性能上看，有源雷达可以随时改变频率，更加有利于抗干扰；可靠性更高，一个TR单元坏了，其他单元仍可以继续使用，战时有源雷达可以同时探测、跟踪多个目标，战术性能远远优于无源雷达。不过有源雷达能耗较大、集成缩小较为困难。
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晚
技术上突破的两个焦点是——能耗亦即功放性能，与集成缩小体积！！！
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晚
硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。
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晚
激光雷达（LiDAR）使用镭射脉冲快速形成三维图像。氮化镓场效应晶体管相较MOSFET器件而言，开关速度快十倍，使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势，由于可实现优越的开关转换，因此可达到更高的准确性。这些性能推动全新及更广阔的LiDAR应用领域的出现。
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晚
氮化镓的传输速度明显更快，是目前激光雷达应用中硅元素的 100 甚至 1000 倍。这样的速度意味着拍摄照片的速度，照片的锐度以及精准度。
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晚
对于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器件，就可以减小器件电容，从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。
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