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华微电子开发基于最新一代材料氮化镓、碳化硅的高端功率器件 华微电子开发基于最新一
2015年华微电子开发基于最新一代材料氮化镓、碳化硅的高端功率器件华微电子开发基于最新一代材料氮化镓、碳化硅的高端功率器件；第三代氮化镓、碳化硅新材料具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，成为制作大功率、高频、高温及抗辐照电子器件的理想替代材料，它们正逐步替代传统硅基器件，此类产品广泛应用于云计算大型服务器、新一代无线网络、通讯、汽车电子、轨道交通等领域。
公司一直密切关注新材料的发展动态，并进行初期研发，基于新材料的高端功率器件研发成功将会使公司产品在高端功率器件领域形成深度进口替代，进一步确立在功率半导体行业的领先地位
股
有研新材才有这概念，和华微无关，不信周一华微大面一碗
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股
此番小米推出氮化镓充电器，有望进一步激发市场需求。未来如果苹果也采用该项技术，氮化镓充电器的渗透率会加速上升。
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华微电子开发基于最新一代材料氮化镓、碳化硅的高端功率器件；第三代氮化镓、碳化硅新材料具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，成为制作大功率、高频、高温及抗辐照电子器件的理想替代材料，它们正逐步替代传统硅基器件，此类产品广泛应用于云计算大型服务器、新一代无线网络、通讯、汽车电子、轨道交通等领域。公司一直密切关注新材料的发展动态，并进行初期研发，基于新材料的高端功率器件研发成功将会使公司产品在高端功率器件领域形成深度进口替代，进一步确立在功率半导体行业的领先地位
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氮化镓是第三代半导体材料(即化合物半导体)的典型代表。相较于第一代半导体材料硅、锗，第二代半导体材料砷化镓、磷化铟等，第三代半导体材料(包括氮化镓、碳化硅、氧化锌等)能够承受更高的电压、适合更高频率，可实现更高的功率密度，并具有耐高温、耐腐蚀、抗辐射、禁带宽度大等特性，在高频、高功率的电力电子、微波射频等领域具有广泛的应用前景。
小米氮化镓充电器也带动A股第三代半导体板块异动。14日收盘，富满电子涨停、台基股份也一度涨停。三安光电、士兰微、华微电子等个股的涨幅均超过3%。
方正证券发布研报称，在今年CES2020上，包括Anker在内的30家厂商推出了66款氮化镓快充产品。此番小米推出...
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