第三代半导体的崛起

第一代半导体材料以硅和锗为主，是CPU处理器等集成电路主要运用的材料；第二代半导体指一部分化合物半导体，包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等，主要特性是频率较高，目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制作。
而第三代半导体材料主要是以碳化硅、氮化镓、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带的半导体材料。

与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
其中，碳化硅和氮化镓的研究和发展更为成熟。

相对于传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4~5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍，因此，碳化硅特别适合于制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率的器件。

根据Omdia的《2020年碳化硅和氮化镓功率半导体报告》，到2020年底，全球碳化硅和氮化镓功率半导体的销售收入预计将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。
未来十年的年均增长率将维持两位数，到2029年将超过50亿美元。

根据Omdia的数据，到2020年底，SiC MOSFET预计将产生约3.2亿美元的收入，与肖特基二极管的收入相当。
从2021年起，SiC MOSFET将以稍快的速度增长，成为最畅销的分立碳化硅功率器件。
得益于混合动力和电动汽车，电源和光伏(PV)逆变器需求的增长，预计到2021年，SiC和GaN Power的收入将超过10亿美元。

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（来源：新乡振中路证券营业部）